我們經(jīng)常會遇到這個問題，明明是按這個功率設(shè)計的了，為什么設(shè)計好了，一測試，功率好像就是不足呢？還有的功率跑哪去了呢？下面小編跟你來一起學(xué)習(xí)一下吧？

一般情況下開關(guān)電源適配器的的功率損耗包括3部分：傳輸損耗、開關(guān)損耗和其他損耗。

一、什么是開關(guān)電源的傳輸損耗？

傳輸損耗由兩部分組成。第一部分是由MOSFET的通態(tài)電阻RDS（ON）而引起的傳輸損耗，也稱導(dǎo)通損耗。例如早期產(chǎn)品TOP227Y的RDS（ON）=2.6Ω(典型值,下同),新產(chǎn)品TOP262的RDS（ON）≤0.90Ω,通態(tài)電阻越小,傳輸損耗就越低.第二部分是電流檢測電阻RS的損耗.

二、什么是開關(guān)電源的開關(guān)損耗?

開關(guān)損耗包括MOSFET的電容損耗和開關(guān)交疊損耗.這里講的電容損耗也稱CU2F損耗,是指儲存在MOSFET輸出電容Coss和高頻變壓器分布電容上的性能，在每個開關(guān)周期開始時泄放掉而產(chǎn)生的損耗。交疊損耗是由于MOSFET存在開關(guān)時間而產(chǎn)生的。在MOSFET的通、斷過程中，由于有效的電壓和電流同時作用于MOSFET，致使MOSFET的開關(guān)交疊時間較長而造成損耗。單片開關(guān)電源內(nèi)部增加了米勒（Miller)電容，使用MOSFET的開關(guān)速度很快，其交疊損耗僅為分立開關(guān)電源的1/10左右，可忽略不計。

那除了上面的兩點，開關(guān)電源還有什么其他的損耗？

三、開關(guān)電源還包括以下?lián)p耗：

1）啟動電路的損耗。開關(guān)電源內(nèi)部有啟動電路，當(dāng)芯片被啟動后即自行關(guān)斷，因此在轉(zhuǎn)入正常工作之后就沒有損耗。PWM控制器需接外部啟動電路，會導(dǎo)致一定的功耗。

2）PWM控制器的損耗。PWM控制器的損耗，包括控制電路本的損耗以及控制驅(qū)動MOSFET的功耗。

3）輸入整流橋的損耗約占開關(guān)電源總功耗的2%。低壓大電流輸出時，輸出整流管的損耗可占開關(guān)電源總功耗的10%以上。

4）漏極鉗位保護電路的損耗為1~1.2W.

5)高頻變壓器的磁心損耗(隨開關(guān)頻率升高而增大),繞組導(dǎo)線的集膚效應(yīng)損耗.

6)其他電路的損耗.包括EMI濾波器中的限流電阻(NT-CR)和X電容器的泄放電阻、輸入整流橋、輸入濾波器、輸出濾波器、反饋電路的損耗之和。

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